– กลุ่มผลิตภัณฑ์ประกอบด้วยขนาด 1200 โวลต์ และ 650 โวลต์ – คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 สิงหาคม 2565 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("โตชิบา") ได้เปิดตัวอุปกรณ์ไฟฟ้ารุ่นใหม่ในซีรีส์ “TWxxNxxxC” อย่าง MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) รุ่นที่ 3[1] [2] ที่ให้ค่าความต้านทานไฟฟ้าต่ำและลดสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะได้อย่างมาก ผลิตภัณฑ์รุ่นนี้มี 10 รายการ ได้แก่ ผลิตภัณฑ์ 1200 โวลต์จำนวน 5 รายการ และ 650 โวลต์ จำนวน 5 รายการ โดยออกสู่ตลาดแล้ววันนี้ เอกสารประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220829005265/en/ โตชิบา: SiC MOSFET รุ่นที่ 3 "ซีรี่ส์ TWxxxNxxxC" …
Continue reading “โตชิบาเปิดตัว SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้แก่อุปกรณ์อุตสาหกรรม”
