Toshiba เปิดตัวโมดูล SiC MOSFET ขนาด 3300V ที่รองรับกระแสไฟกระชากสูง ช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือให้กับอุปกรณ์ในภาคอุตสาหกรรม

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–24 กันยายน 2026

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้ขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ด้วยการเปิดตัว “IX800FXF2YMS4” ซึ่งเป็นโมดูล SiC MOSFET แบบคู่ สำหรับการใช้งานอุปกรณ์ในภาคอุตสาหกรรมต่างๆ อาทิ ยานพาหนะระบบราง ระบบผลิตไฟฟ้าจากพลังงานหมุนเวียน และระบบแปลงพลังงานไฟฟ้า โมดูลรุ่นใหม่นี้ใช้ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ของ Toshiba โดยมีพิกัดแรงดันไฟฟ้า Drain-Source อยู่ที่ 3300V และพิกัดกระแสไฟฟ้า Drain (DC) ที่ 800A นอกจากนี้ ข้อมูลจำเพาะของโมดูลยังระบุค่าขีดจำกัด I²t ในส่วนของไดโอด ซึ่งเป็นตัวบ่งชี้ถึงความสามารถในการรองรับกระแสไฟกระชาก

ผู้ผลิตอุปกรณ์ในภาคอุตสาหกรรม ซึ่งรวมถึงอินเวอร์เตอร์และคอนเวอร์เตอร์สำหรับระบบขับเคลื่อนรถไฟ ระบบผลิตไฟฟ้าจากพลังงานหมุนเวียน และอุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์อุตสาหกรรม จำเป็นต้องตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องในด้านประสิทธิภาพที่สูงขึ้น ขนาดที่เล็กลง และความน่าเชื่อถือที่ดียิ่งขึ้น สำหรับระบบเหล่านี้ จำเป็นต้องมีขีดความสามารถในการรองรับกระแสไฟกระชากที่เพียงพอ เพื่อรับมือกับกระแสกระชากขนาดใหญ่ที่อาจไหลผ่านโมดูลชิปสำหรับระบบไฟฟ้าในสภาวะการทำงานที่ผิดปกติ

IX800FXF2YMS4 มีการออกแบบชิป SiC ที่ได้รับการปรับปรุงให้เหมาะสม และให้ค่า คุณลักษณะ I²t ที่ระดับ 300kA²s^[1] ซึ่งเป็นตัวบ่งชี้ถึงความสามารถในการรองรับกระแสกระชากของส่วนไดโอดภายใต้สภาวะผิดปกติ

โดยโมดูลนี้มีค่าแรงดันไฟฟ้า Drain-Source ขณะนำกระแส (V_DS(on)sense) อยู่ที่ 1.4V (ค่าทั่วไป)^[2] ซึ่งช่วยลดการสูญเสียพลังงานจากการนำกระแส โดยมีค่าการสูญเสียขณะนำกระแส (E_on) อยู่ที่ 185mJ (ค่าทั่วไป) ^[3] และค่าการสูญเสียขณะหยุดนำกระแส (E_off) อยู่ที่ 175mJ (ค่าทั่วไป) ^[3] ที่จะช่วยลดการสูญเสียจากการสวิตช์ โดยคุณสมบัติเหล่านี้มีส่วนช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพของอุปกรณ์ อีกทั้งยังช่วยให้สามารถลดขนาดของระบบระบายความร้อนลงได้

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็กเกจ iXPLV™^[4] ซึ่งมีความเข้ากันได้ดีเยี่ยมในการติดตั้ง โดยใช้เทคโนโลยีการเชื่อมประสานแบบ Silver Sintering เพื่อเพิ่มความทนทานต่อความร้อนและความน่าเชื่อถือของจุดเชื่อมต่อกับชิป SiC ทำให้สามารถรองรับอุณหภูมิช่องสัญญาณได้ถึง 175°C ตามข้อกำหนดสำหรับอุปกรณ์ในภาคอุตสาหกรรม

ผลิตภัณฑ์ใหม่ที่เพิ่มเข้ามาในกลุ่มผลิตภัณฑ์ของ Toshiba นี้ ส่งผลให้จำนวนโมดูล SiC MOSFET ในแพ็กเกจ iXPLV™ เพิ่มขึ้นเป็น 4 รุ่น ซึ่งช่วยขยายทางเลือกของผลิตภัณฑ์ที่มีให้บริการให้กว้างขวางยิ่งขึ้น

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์โมดูล SiC MOSFET สำหรับอุปกรณ์ในภาคอุตสาหกรรมอย่างต่อเนื่อง พร้อมทั้งนำเสนอทางเลือกผลิตภัณฑ์ที่หลากหลายยิ่งขึ้นเพื่อตอบโจทย์ข้อกำหนดทางเทคนิคและการใช้งานที่แตกต่างกันของอุปกรณ์ต่างๆ นอกจากนี้ บริษัทยังมุ่งมั่นที่จะมีส่วนช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีความน่าเชื่อถือ มีประสิทธิภาพสูง และมีขนาดกะทัดรัดยิ่งขึ้น

หมายเหตุ:
[1] เงื่อนไขการทดสอบ: T_{ch(เริ่มต้น)} =175°C, V_GS =-6V, ครึ่งคลื่นไซน์ 10ms 1 พัลส์, F.R.=1%
[2] เงื่อนไขการทดสอบ: I_D =800A, V_GS =+20V, T_ch =25°C
[3] เงื่อนไขการทดสอบ: V_DD =1800V, I_D =800A, V_GS =+20V/-6V, C_gs =100nF, R_G(on) =1.2Ω, R_G(off) =1.2Ω, T_ch =175°C, L_S ≃70nH
[4] iXPLV^TM : คำย่อของ intelligent fleXible Package Low Voltage

การใช้งาน

อุปกรณ์ในภาคอุตสาหกรรม

• อินเวอร์เตอร์และคอนเวอร์เตอร์สำหรับระบบขับเคลื่อนรถไฟ
• ระบบผลิตไฟฟ้าจากพลังงานหมุนเวียน
• ระบบแปลงพลังงาน (หม้อแปลงโซลิดสเตต (SST)^[5] ,เครื่องสำรองไฟฟ้า (UPS), ระบบกักเก็บพลังงาน (ESS) ฯลฯ)
• อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์สำหรับงานอุตสาหกรรม ฯลฯ

หมายเหตุ:
[5] SST: หม้อแปลงรุ่นใหม่ที่ใช้สารกึ่งตัวนำกำลังเพื่อให้ได้ขนาดกะทัดรัด การแปลงแรงดันไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูง และการควบคุมกำลังขั้นสูง

คุณสมบัติ

•  ระบุค่าพิกัดขีดจำกัด I2t (ไดโอด): I² t=300kA² s
•  แรงดันไฟฟ้า Drain-Source ขณะนำกระแสต่ำ (sense): V_DS(on)sense =1.4V (ค่าทั่วไป)
•  สูญเสียพลังงานขณะสวิตชิ่งต่ำ: E_on =185mJ (ค่าทั่วไป), E_off =175mJ (ค่าทั่วไป)
•  พิกัดอุณหภูมิช่องนำกระแส: T_ch =175°C
•  ใช้แพ็กเกจ iXPLV^TM

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Tc =25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน				IX800FXF2YMS4
แพ็กเกจ		ชื่อ		iXPLV™
		ขนาด (มม.)	ค่าทั่วไป	144×99.5×40
ค่าพิกัด สูงสุด สัมบูรณ์	แรงดันไฟฟ้า Drain-source VDSS (V)			3300
	แรงดันไฟฟ้า Gate-source VGSS (V)			+25/-10
	กระแส Drain (DC) ID (A)			800
	กระแส Drain (พัลส์) IDP (A)			1600
	อุณหภูมิช่องนำกระแส Tch (°C)			175
	แรงดันไฟฟ้าฉนวน V isol isol  (Vrms)	AC, 60 วินาที		6000
	ค่าจำกัด I2t (ไดโอด) I2t  (kA2 s)	Tch (เริ่มต้น) =175°C, VGS =-6V,  ครึ่งคลื่นไซน์ 10ms 1 พัลส์  F.R.=1%		300
คุณลักษณะ ทางไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้า Drain-source ขณะนำกระแส (sense)  VDS(on)sense (V)	ID =800A, VGS =+20V,  Tch =25°C	ค่าทั่วไป	1.4
	แรงดันไฟฟ้า Source-drain ขณะนำกระแส (sense)  VSD(on)sense (V)	IS =800A, VGS =+20V,  Tch =25°C	ค่าทั่วไป	1.4
	แรงดันไฟฟ้า Source-drain ขณะหยุดนำกระแส (sense)  VSD(off)sense (V)	IS =800A, VGS =-6V,  Tch =25°C	ค่าทั่วไป	2.2
	ค่าความเหนี่ยวนำแฝง LsPN (nH)	เทอร์มินอล P – เทอร์มินอล N	ค่าทั่วไป	12
	การสูญเสียพลังงานขณะนำกระแส  Eon (mJ)	VDD =1800V, ID =800A,  VGS =+20V/-6V,  Cgs =100nF, RG(on) =1.2Ω,  RG(off) =1.2Ω, Tch =175°C,  LS ≃70nH	ค่าทั่วไป	185
	การสูญเสียพลังงานขณะหยุดนำกระแส  Eoff (mJ)		ค่าทั่วไป	175

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ได้ที่ลิงก์ด้านล่างนี้
IX800FXF2YMS4

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับกลุ่มผลิตภัณฑ์อุปกรณ์กำลังไฟฟ้า SiC ของ Toshiba ได้ที่ลิงก์ด้านล่างนี้
อุปกรณ์กำลังไฟฟ้า SiC

* iXPLV™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและคุณสมบัติจำเพาะของผลิตภัณฑ์ รายละเอียดการบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยพนักงานกว่า 17,400 คนทั่วโลกของบริษัทยังคงมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ โดยบริษัทยังมุ่งหวังที่จะร่วมสร้างและสนับสนุนอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนในทุกๆ ที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20260923706775/en

Contacts

การสอบถามจากลูกค้า:
แผนกขายและการตลาดอุปกรณ์กำลังและอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร.: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

การสอบถามจากสื่อ
C. Nagasawa
แผนกสื่อสารและข้อมูลเชิงลึกด้านตลาด
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation